技術編號:7255098
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種。半導體裝置包括襯底、深阱、第一阱、第一摻雜電極區(qū)、第二摻雜電極區(qū)以及高截止電壓通道區(qū)。襯底具有第一導電型。深阱位于襯底內(nèi),并具有與第一導電型相反的第二導電型。第一阱位于深阱內(nèi),并具有第一導電型或第二導電型至少其中之一。第一摻雜電極區(qū)具有第一導電型并位于第一阱內(nèi)。第二摻雜電極區(qū)具有第二導電型,位于第一阱內(nèi)且鄰近第一摻雜電極區(qū)。高截止電壓通道區(qū)由襯底的表面向下擴展且覆蓋部份的第二摻雜電極區(qū)的表面,其覆蓋第二摻雜電極區(qū)的比例越高,半導體裝置的輸...
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