技術(shù)編號：7254841
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及了一種MOS晶體管，其包括第一導(dǎo)電性的襯底、形成在該襯底上方的第一導(dǎo)電性的第一區(qū)域、形成在第一區(qū)域中的第一導(dǎo)電性的第二區(qū)域、形成在第二區(qū)域中的第二導(dǎo)電性的第一漏極/源極區(qū)域、第二導(dǎo)電性的第二漏極/源極區(qū)域、以及第一導(dǎo)電性的主體接觸區(qū)域，其中，從上向下看去，該主體接觸區(qū)域和第一漏極/源極區(qū)域以交替的方式形成。本發(fā)明還提供了一種用于MOS晶體管的設(shè)備和方法。專利說明用于MOS晶體管的設(shè)備和方法[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及一用...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。