技術(shù)編號：7252916
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種具有以下步驟。制備具有第一導(dǎo)電類型的碳化硅層(122)的襯底(10)。在碳化硅層(122)上形成掩膜層(1)。通過從掩膜層(1)上方進行離子注入而在碳化硅層(122)中形成第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)(123)。在形成掩膜層(1)的步驟中，形成具有帶有錐角的開口的掩膜層(1)，該錐角為形成在掩膜層(1)的底表面和傾斜表面之間的大于60°且不大于80°的角。因此，能提供能夠獲得具有高集成度和高耐受電壓的半導(dǎo)體器件的。專利說明[0001]本發(fā)明涉及一種，并且更特別地...
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