技術(shù)編號：7252871
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。碳化硅層（50）包括具有第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)（51）、提供在第一區(qū)上并具有第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)（52），以及設(shè)置在第二區(qū)（52）上并具有第一導(dǎo)電類型的第三區(qū)（53）。具有內(nèi)表面的溝槽（TR）形成在碳化硅層（50）中。溝槽（TR）穿過第二和第三區(qū)（52，53）。溝槽（TR）的內(nèi)表面具有第一側(cè)壁（SW1）以及位置比第一側(cè)壁（SW1）更深并具有包括第二區(qū)（52）的部分的第二側(cè)壁（SW2）。第一側(cè)壁（SW1）的斜率小于第二側(cè)壁（SW2）的斜率。專利說明碳化娃半導(dǎo)體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。