技術編號：7252544
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在方法的至少一個實施形式中，所述方法設計成用于制造光電子半導體芯片（10），尤其是發(fā)光二極管。該方法至少包括下述步驟提供硅生長襯底（1）；借助于濺鍍在生長襯底（1）上生成III族氮化物緩沖層（3），和在緩沖層（3）上方生長具有有源層（2a）的III族氮化物半導體層序列（2）。專利說明用于制造光電子半導體芯片的方法和相應的光電子半導體芯片[0001]提出一種用于制造光電子半導體芯片的方法以及一種相應的光電子半導體芯片。背景技術[0002]在參考文獻Dadga...
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