技術編號：7251563
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。通過圍繞半導體層上的柵極結構形成具有第一深度d1的一對第一溝槽，圍繞柵極結構形成可棄式隔離物58以覆蓋第一溝槽的近端部分以及形成深度為第二深度d2的一對第二溝槽，在半導體層中形成包括溝槽的一對水平臺階，所述第二深度d2大于第一深度d1。去除可棄式隔離物，并且執(zhí)行選擇性外延以形成集成外延源極和源極擴展區(qū)域16以及集成外延漏極和漏極擴展區(qū)域18。在沉積和平坦化電介質層70之后可以形成替換柵極結構并且隨后除去柵極結構以及在外延源極16和漏極擴展區(qū)域18上橫向擴展...
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