技術(shù)編號(hào)：7249668
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。公開了具有凹陷溝道和突變結(jié)的MOSFET和用于制造該MOSFET的方法。所述方法包括在虛設(shè)柵極處于適當(dāng)位置時(shí)制造源極和漏極延伸。所述源極/漏極延伸與硅襯底產(chǎn)生擴(kuò)散結(jié)。所述方法包括除去所述虛設(shè)柵極以及在所述硅襯底中蝕刻凹陷。所述凹陷與所述源極和漏極結(jié)的至少一部分相交。然后，通過生長硅膜以至少部分填充所述凹陷而形成溝道。所述溝道與源極和漏極具有陡峭結(jié)，而保留在溝道下方的未被蝕刻的硅具有與源極和漏極的擴(kuò)散結(jié)。由此，可以產(chǎn)生在同一晶體管中具有兩個(gè)結(jié)區(qū)（陡峭和擴(kuò)散）...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。