技術(shù)編號：7248247
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種，包括提供半導(dǎo)體襯底，沿柵線方向，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有相互隔開的第一偽柵極和第二偽柵極；在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層；形成所述層間介質(zhì)層后，去除所述第一偽柵極，形成第一偽柵溝槽，在第一偽柵溝槽中形成第一柵極；形成所述第一柵極后，去除所述第二偽柵極，形成第二偽柵溝槽，在第二偽柵溝槽中形成第二柵極；去除所述第一柵極和第二柵極之間的部分或全部層間介質(zhì)層，形成連接第一柵極和第二柵極的凹槽；在所述凹槽中填充導(dǎo)電物質(zhì)，將第一柵極和第二柵極電連接。使用本發(fā)明...
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