半導體器件的形成方法
【專利摘要】一種半導體器件的形成方法，包括：提供半導體襯底，沿柵線方向，在所述半導體襯底上形成有相互隔開的第一偽柵極和第二偽柵極；在所述半導體襯底上形成層間介質層；形成所述層間介質層后，去除所述第一偽柵極，形成第一偽柵溝槽，在第一偽柵溝槽中形成第一柵極；形成所述第一柵極后，去除所述第二偽柵極，形成第二偽柵溝槽，在第二偽柵溝槽中形成第二柵極；去除所述第一柵極和第二柵極之間的部分或全部層間介質層，形成連接第一柵極和第二柵極的凹槽；在所述凹槽中填充導電物質，將第一柵極和第二柵極電連接。使用本發(fā)明的技術方案，具有第一柵極的晶體管與具有第二柵極的晶體管可以實現(xiàn)更穩(wěn)定、更敏感地協(xié)同工作，提升了半導體器件的性能。
【專利說明】半導體器件的形成方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體【技術領域】，特別涉及一種半導體器件的形成方法。
【背景技術】
[0002]在現(xiàn)有技術中，“后柵(gate last) ”工藝為形成金屬柵極的一個主要工藝。這種技術的特點是在對硅片進行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫退火步驟完成之后再形成金屬柵極。
[0003]在現(xiàn)有技術中，存在應用后柵工藝制作PMOS晶體管與NMOS晶體管協(xié)同工作的集成電路。其中，一些集成電路中相鄰的PMOS晶體管、NMOS晶體管金屬柵極在柵線方向(垂直源極與漏極連線方向)相互接觸，即通過兩個相鄰金屬柵極的接觸實現(xiàn)兩個金屬柵極的相互電連接。在后柵工藝中，PMOS晶體管的金屬柵極與相鄰的NMOS的金屬柵極之間的接觸好壞，是影響半導體器件性能的關鍵因素之一。在現(xiàn)有技術中形成PMOS晶體管金屬柵極與NMOS晶體管金屬柵極方法為:參照圖1，提供半導體襯底10，在半導體襯底10上形成有第一金屬柵極U、與第一金屬柵極11相鄰的偽柵12、層間介質層13。參照圖2，形成圖形化的光刻膠層14，暴露偽柵12。繼續(xù)參照圖3，以圖形化的光刻膠層14為掩模，干法刻蝕去除偽柵12，形成偽柵溝槽121，之后，濕法腐蝕去除偽柵溝槽121側壁和底部的聚合物。最后，參照圖4，去除圖形化的光刻膠層14，在偽柵溝槽121中形成第二金屬柵極15。其中，第一金屬柵極11對應PMOS晶體管的金屬柵極，第二金屬柵極15對應NMOS晶體管的金屬柵極，或相反。
[0004]但是，使用現(xiàn)有技術的后柵工藝制作的在柵線方向上具有相互接觸的兩金屬柵極的半導體器件的性能不佳。
[0005]更多關于后柵工藝的知識，請參考2011年5月4日公開的、專利號為CN102044421A的中國專利文獻。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術的后柵工藝形成的半導體器件的性能不佳。
[0007]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種新的半導體器件的形成方法，包括:
[0008]提供半導體襯底，沿柵線方向，在所述半導體襯底上形成有相互隔開的第一偽柵極和第二偽柵極；
[0009]在所述半導體襯底上形成層間介質層；
[0010]形成所述層間介質層后，去除所述第一偽柵極，形成第一偽柵溝槽，在第一偽柵溝槽中形成第一柵極；
[0011]形成所述第一柵極后，去除所述第二偽柵極，形成第二偽柵溝槽，在第二偽柵溝槽中形成第二柵極；
[0012]去除所述第一柵極和第二柵極之間的部分或全部層間介質層，形成連接第一柵極和第二柵極的凹槽；[0013]在所述凹槽中填充導電物質，將第一柵極和第二柵極電連接。
[0014]可選的，形成第一偽柵極和第二偽柵極的方法，包括:
[0015]在半導體襯底上形成偽柵極層；
[0016]圖形化所述偽柵極層，形成偽柵極；
[0017]將所述偽柵極分割成相互隔開的第一偽柵極、第二偽柵極。
[0018]可選的，形成連接第一柵極和第二柵極的凹槽的方法，包括:
[0019]在所述層間介質層、第一柵極和第二柵極上形成圖形化的掩膜層，定義待形成的凹槽的位置；
[0020]以所述圖形化的掩膜層為掩模，刻蝕部分或全部層間介質層，形成連接第一柵極和第二柵極的凹槽；
[0021]去除圖形化的掩膜層。
[0022]可選的，在形成第一偽柵極和第二偽柵極后，形成層間介質層之前，還包括:
[0023]在第一偽柵極兩側的半導體襯底中進行離子注入，形成第一源區(qū)和第一漏區(qū)；
[0024]在第二偽柵極兩側的半導體襯底中進行離子注入，形成第二源區(qū)和第二漏區(qū)，其中，第一源區(qū)和第一漏區(qū)與第二源區(qū)和第二漏區(qū)的類型不同。
[0025]可選的，第一源區(qū)和第一漏區(qū)中注入的離子為N型離子，第二源區(qū)和第二漏區(qū)中注入的離子為P型離子。
[0026]可選的，去除第一偽柵極的方法，包括:
[0027]形成圖形化的掩膜層，定義第一偽柵極的位置；
[0028]以所述圖形化的掩膜層為掩模，使用干法刻蝕去除第一偽柵極；
[0029]使用濕法腐蝕去除所述干法刻蝕中形成的聚合物；
[0030]去除圖形化的掩膜層。
[0031]可選的，去除第二偽柵極的方法，包括:
[0032]形成圖形化的掩模層，定義第二偽柵極的位置；
[0033]以圖形化的掩模層為掩模，使用干法刻蝕去除第二偽柵極；
[0034]使用濕法腐蝕去除所述干法刻蝕中形成的聚合物；
[0035]去除圖形化的掩模層。
[0036]可選的，在形成圖形化的掩模層之前，形成氮化鈦層，覆蓋層間介質層、第一柵極、第二偽柵極。
[0037]可選的，使用干法刻蝕去除第一偽柵極或第二偽柵極，使用的刻蝕氣體包括02。
[0038]可選的，使用的刻蝕氣體還包括NF3、HBr或CF4中的一種或多種。
[0039]可選的，去除所述第一柵極和第二柵極之間的部分或全部層間介質層形成凹槽時，也去除所述第一柵極、第二柵極與凹槽相鄰的側壁。
[0040]可選的，所述導電物質為鎢。
[0041]可選的，所述第一偽柵極和第二偽柵極的材料包括多晶硅、氮化硅或無定形碳。
[0042]可選的，所述第一柵極和第二柵極的材料包括:Al、Cu、Ag、Au、Pt、N1、T1、TiN、TaN、Ta、TaC、TaSiN、W、WN、WSi 的一種或多種。
[0043]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0044]本發(fā)明利用后柵工藝形成在柵線方向上相互連接的第一柵極和第二柵極的過程中，首先形成相互隔開的第一偽柵極和第二偽柵極。之后，在襯底上形成層間介質層。接著，去除第一偽柵極和第二偽柵極，形成第一柵極和第二柵極。在形成第一柵極和第二柵極后，去除第一柵極和第二柵極之間的部分或全部層間介質層，形成凹槽。接著，在凹槽中填充導電物質，將第一柵極和第二柵極電連接。凹槽中的導電物質將第一柵極與第二柵極直接連接起來，第一柵極與第二柵極實現(xiàn)無障礙緊密接觸。這樣，第一柵極和第二柵極之間的信號傳遞穩(wěn)定、敏感，使得具有第一柵極的晶體管與具有第二柵極的晶體管可以實現(xiàn)更穩(wěn)定、更敏感地協(xié)同工作，提升了半導體器件的性能。另外，事先將第一偽柵極和第二偽柵極隔開，不僅為后續(xù)形成凹槽創(chuàng)造條件，也使得在去除第一偽柵極或第二偽柵極的過程中，不會對相鄰的偽柵極或柵極造成影響。如，在去除第二偽柵極過程中，尤其是濕法腐蝕去除殘留聚合物過程中，腐蝕劑不會對第一柵極產生腐蝕，確保第一柵極完整，也穩(wěn)定了晶體管的性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0045]圖1?圖4是現(xiàn)有技術的后柵工藝形成半導體器件的方法在柵線方向上的剖面結構示意圖；
[0046]圖5是本發(fā)明具體實施例的形成半導體器件的方法流程示意圖；
[0047]圖6a、圖6b?圖11a、Ilb是本發(fā)明具體實施例的形成半導體器件的方法結構示意圖。
【具體實施方式】
[0048]發(fā)明人針對現(xiàn)有技術的后柵工藝存在的問題，進行了研究，發(fā)現(xiàn):在使用干法刻蝕去除偽柵極中，會生成聚合物，附著在偽柵溝槽的底部和側壁。例如干法刻蝕工藝中，通常向刻蝕反應腔內通入氧氣，部分氧氣會與多晶硅或刻蝕反應腔內的其他物質發(fā)生反應，生成氧化物，氧化物可視為聚合物的一種成分。雖然，后續(xù)使用濕法腐蝕去除聚合物，但是現(xiàn)有技術中通常使用的腐蝕劑為N-甲基吡咯烷酮(NMP，N-methyl-2-pyrrolidone)溶劑或EKC溶劑(由杜邦EKC科技公司提供的一種堿性溶液)，所述溶劑的腐蝕的能力較弱，大部分的聚合物不會被去除。這會產生如下問題:參照圖3，在偽柵溝槽121的側壁處未被去除的聚合物附著在第一金屬柵極11上。這樣，在第一金屬柵極11和第二金屬柵極15的界面處，聚集有殘留的聚合物，對第一金屬柵極11和第二金屬柵極15之間的電連接產生消極影響，使得相鄰晶體管之間的傳遞信號不穩(wěn)定，降低半導體器件的性能。如果在第一金屬柵極11和第二金屬柵極15的界面處的殘留聚合物較厚的話，會使相鄰晶體管之間無法傳遞信號，使得半導體器件無法工作，嚴重影響半導體器件的性能。
[0049]發(fā)明人針對上述問題，經(jīng)過創(chuàng)造性勞動，得到一種新的半導體器件的形成方法。
[0050]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其他方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0051]圖6a、圖6b?圖11a、圖1lb為本發(fā)明具體實施例的形成半導體器件的方法結構示意圖，其中，圖6a?圖1la為本發(fā)明具體實施例的形成半導體器件方法的結構頂視圖，圖6b?圖lib為本發(fā)明具體實施例的形成半導體器件方法沿柵線方向的剖面結構示意圖。
[0052]參照圖6a、圖6b，并結合參照圖5，執(zhí)行步驟S51，提供半導體襯底300，沿柵線方向(垂直源極到漏極方向)，在半導體襯底300上形成相互隔開的第一偽柵極311和第二偽柵極321。也就是說，第一偽柵極311與第二偽柵極321之間在柵線方向存在空隙，作為空隙側壁的第一偽柵極311的表面、第二偽柵極321的表面相對。
[0053]在具體實施例中，所述半導體襯底300的材料可以為單晶硅、單晶鍺或單晶硅鍺；也可以是絕緣體上硅(SOI);或者還可以包括其它的材料，例如砷化鎵等II1- V族化合物。在所述半導體襯底300中形成有器件結構(圖中未示)，例如隔離溝槽結構等隔離結構用于相鄰晶體管之間的隔離。
[0054]在具體實施例中，在半導體襯底300上形成相互隔開的第一偽柵極311和第二偽柵極321的方法，包括:在半導體襯底300上形成偽柵極層(未示出)，所述偽柵極層的材料可以選擇多晶硅、無定形碳或氮化硅，形成偽柵極層的方法可以為化學氣相沉積；圖形化所述偽柵極層，形成偽柵極；將所述偽柵極分割成相互隔開的第一偽柵極311和第二偽柵極321。其中，將所述偽柵極分割成相互隔開的第一偽柵極311和第二偽柵極321的方法為:形成圖形化的光刻膠層，定義待形成的第一偽柵極311和第二偽柵極321之間的偽柵極部分；以所述圖形化的光刻膠層為掩模，刻蝕偽柵極至半導體襯底表面停止；去除圖形化的光刻膠層，形成相互隔開的第一偽柵極311和第二偽柵極321。
[0055]執(zhí)行步驟S51，將第一偽柵極311和第二偽柵極321隔開，可以使得后續(xù)去除第二偽柵極321時，使用干法刻蝕產生的聚合物，不會附著在相鄰的第一柵極上。而且，在后續(xù)會重新將第一柵極與第二柵極之間的開口填充，使得相鄰晶體管連接。
[0056]參照圖7a和圖7b，結合參照圖5，執(zhí)行步驟S52，在半導體襯底300上形成層間介質層302。若第一偽柵極311與第二偽柵極321上均未形成有硬掩模層，則層間介質層302的上表面與第一偽柵極311、第二偽柵極321的上表面持平；若第一偽柵極311與第二偽柵極321上均形成有硬掩模層，則層間介質層302的上表面與硬掩模層的上表面持平。由于圖7a為頂視圖，半導體襯底為不可視，故未示出。
[0057]在具體實施例中，層間介質層302的材料通常選擇氧化硅，當然還有其他可選材料，可以根據(jù)實際需要進行選擇。形成層間介質層302的步驟，一般是先沉積，再進行平坦化處理，例如化學機械拋光或回刻。
[0058]在具體生產中，在形成第一偽柵極和第二偽柵極后，在形成層間介質層之前，在第一偽柵極兩側的半導體襯底中進行離子注入，形成第一源區(qū)和第第一漏區(qū)；之后，在第二偽柵極兩側的半導體襯底中進行離子注入，形成第二源區(qū)和第二漏區(qū)。其中，第一源區(qū)和第一漏區(qū)，與第二源區(qū)和第二漏區(qū)中注入的離子類型不同。若第一源區(qū)和第一漏區(qū)中注入的離子為N型離子，第一源區(qū)和第一漏區(qū)作為P型晶體管的源極和漏極，則相應地，第二源區(qū)和第二漏區(qū)中注入的離子為P型離子，第二源區(qū)和第二漏區(qū)作為N型晶體管的源極和漏極。反之，若第一源區(qū)和第一漏區(qū)中注入的離子為P型離子，則第二源區(qū)和第二漏區(qū)中注入的離子為N型離子。
[0059]參照圖8a、圖Sb，并結合參照圖5，執(zhí)行步驟S53，形成層間介質層302后，去除第一偽柵極311，形成第一偽柵溝槽(未示出)，在第一偽柵溝槽中形成第一柵極311’。根據(jù)第一偽柵溝槽中填充的導電材料的選擇，如導電材料為金屬，則第一柵極311’為金屬柵極。在本實施例中，在第一偽柵溝槽中形成第一柵極311’之前，在第一偽柵溝槽的底部形成高K介質層，作為柵介質層，之后在柵介質層上形成第一柵極311’。具體工藝為公知技術，不再贅述。
[0060]在具體實施例中，形成第一偽柵溝槽的方法，包括:(1)形成圖形化的掩模層，定義第一偽柵溝槽的位置，將第二偽柵極321遮蓋。其中，圖形化的掩模層通常選擇光刻膠。(2)以圖形化的掩模為掩模層，使用干法刻蝕去除第一偽柵極311，在層間介質層302中形成第一偽柵溝槽(未示出)。在干法刻蝕工藝中，在刻蝕反應腔內通入的氣體為O2，但不限于O2，還可包括NF3、HBr、或CF4中的一種或多種。在本實施例中，通入的氣體為02，O2可以補充在刻蝕第一偽柵極311過程中，第一偽柵溝槽側壁(即層間介質層部分)中的氧損耗。(3)使用濕法腐蝕去除上述干法刻蝕過程中產生的聚合物，所述聚合物殘留在第一偽柵溝槽的側壁和底部。(4)去除圖形化的掩模層。
[0061 ] 在具體實施例中，形成第一偽柵溝槽后，在第一偽柵溝槽中填充導電材料，形成第一柵極311’。使用的導電材料可以為金屬，包括:Al、Cu、Ag、Au、Pt、N1、T1、TiN、TaN、Ta、TaC、TaSiN、W、WN、WSi的一種或多種。具體工藝為本領域技術人員所熟知的技術，在此不再贅述。
[0062]參照圖9a、圖％，并結合圖5，執(zhí)行步驟S54，形成第一柵極311’后，去除第二偽柵極321，形成第二偽柵溝槽(未示出)，在第二偽柵溝槽中形成第二柵極321’。在本實施例中，在第二偽柵溝槽中形成第二柵極321’之前，在第二偽柵溝槽的底部形成高K介質層，作為柵介質層，之后，在高K介質層上形成第二柵極321’。
[0063]在具體實施例中，形成第二偽柵溝槽的步驟與前述形成第一偽柵溝槽的步驟相同，包括光刻、干法刻蝕、濕法腐蝕處理步驟?？蛇x的，在光刻過程中，形成圖形化的掩模層之前，形成氮化鈦層，覆蓋第一柵極、第二偽柵極和層間介質層。之后，在氮化鈦層上形成圖形化的掩模層，一般選擇光刻膠層。氮化鈦層可以起到保護第一柵極的作用，避免形成圖形化的掩模層，尤其是圖形化的光刻膠層的過程中，對第一柵極的導電材料，如金屬造成損傷。在該步驟中，其他具體工藝條件請參照執(zhí)行步驟S53的說明。
[0064]在具體實施例中，第二柵極321’的材料包括Al、Cu、Ag、Au、Pt、N1、T1、TiN、TaN、Ta、TaC、TaSiN、W、WN、WSi 的一種或多種。
[0065]參照圖10a、圖10b，并結合參照圖5，執(zhí)行步驟S55，去除第一柵極311’和第二柵極321’之間的部分或全部層間介質層，形成連接第一柵極311’和第二柵極321’的凹槽303。凹槽303用于形成第一柵極311’和第二柵極321’之間的互連線，進而形成第一柵極311'與第二柵極321’的電連接。
[0066]在具體實施例中，首先在層間介質層302和第一柵極311’、第二柵極321’上形成圖形化的掩模層，定義出待形成的凹槽303的位置；然后，以圖形化的掩模層為掩模，刻蝕層間介質層302，形成凹槽303 ;最后，去除圖形化的掩模層。對凹槽303的深度和寬度，并不限于圖10a、圖1Ob中所示的將第一柵極311’與第二柵極321’之間的層間介質層部分全去除。在其他實施例中，只要將第一柵極311’與第二柵極321’連接起來，都是可行的。例如，去除第一柵極311'與第二柵極321’之間的部分深度、在柵長方向上部分寬度的層間介質層，且在柵線方向上將第一柵極311’和第二柵極321’連通。其他只要符合本發(fā)明的將第一柵極與第二柵極連接的定義，就在本發(fā)明的保護范圍之內。[0067]在具體實施例中，還可以在形成凹槽303過程中，在去除第一柵極311’和第二柵極321’之間的部分或全部層間介質層302時，也去除所述第一柵極、第二柵極與凹槽303相鄰的側壁，使得凹槽303側壁的殘留聚合物基本被去除。這樣，第一柵極311’和第二柵極321’側壁的殘留聚合物基本可以完全去除。則后續(xù)凹槽中形成的導電物質可以與第一柵極311’、第二柵極321’形成無障礙接觸。
[0068]參照圖10a、圖1Ob和I la、圖1 lb，并結合參照圖5，執(zhí)行步驟S56，在凹槽303中填充導電物質304，將第一柵極311’和第二柵極321’電連接。
[0069]在具體實施例中，在凹槽303中填充導電物質的方法，包括:沉積導電物質，覆蓋層間介質層302、第一柵極311’和第二柵極321’，并填充凹槽303，沉積導電物質的方法可以使用物理氣相沉積、化學氣相沉積或濺射工藝；去除高出層間介質層302表面的導電物質，剩余凹槽303中的導電物質304。在本實施例中，在凹槽303中填充的導電物質為鎢(W)，但不限于鎢，對其他導電物質也是可行的。所述去除高出層間介質層302表面的導電物質，使用化學機械拋光或回刻工藝。
[0070]執(zhí)行本步驟后，凹槽303中的導電物質304將第一柵極311與第二柵極321’直接連接起來，第一柵極311'與第二柵極321’實現(xiàn)無障礙緊密接觸。這樣，第一柵極311’和第二柵極321’之間的信號傳遞穩(wěn)定、敏感，使得具有第一柵極311’的晶體管與具有第二柵極321’的晶體管可以實現(xiàn)更穩(wěn)定、更敏感地協(xié)同工作，提升了半導體器件的性能。
[0071]本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。
【權利要求】
1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括: 提供半導體襯底，沿柵線方向，在所述半導體襯底上形成有相互隔開的第一偽柵極和第二偽柵極； 在所述半導體襯底上形成層間介質層； 形成所述層間介質層后，去除所述第一偽柵極，形成第一偽柵溝槽，在第一偽柵溝槽中形成第一柵極； 形成所述第一柵極后，去除所述第二偽柵極，形成第二偽柵溝槽，在第二偽柵溝槽中形成第二柵極； 去除所述第一柵極和第二柵極之間的部分或全部層間介質層，形成連接第一柵極和第二柵極的凹槽； 在所述凹槽中填充導電物質，將第一柵極和第二柵極電連接。
2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第一偽柵極和第二偽柵極的方法，包括: 在半導體襯底上形成偽柵極層； 圖形化所述偽柵極層，形成偽柵極； 將所述偽柵極分割成相互隔開的第一偽柵極、第二偽柵極。
3.如權利要求1所述的形`成方法，其特征在于，形成連接第一柵極和第二柵極的凹槽的方法，包括: 在所述層間介質層、第一柵極和第二柵極上形成圖形化的掩膜層，定義待形成的凹槽的位置； 以所述圖形化的掩膜層為掩模，刻蝕部分或全部層間介質層，形成連接第一柵極和第二柵極的凹槽； 去除圖形化的掩膜層。
4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成第一偽柵極和第二偽柵極后，形成層間介質層之前，還包括: 在第一偽柵極兩側的半導體襯底中進行離子注入，形成第一源區(qū)和第一漏區(qū)； 在第二偽柵極兩側的半導體襯底中進行離子注入，形成第二源區(qū)和第二漏區(qū)，其中，第一源區(qū)和第一漏區(qū)與第二源區(qū)和第二漏區(qū)的類型不同。
5.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，第一源區(qū)和第一漏區(qū)中注入的離子為N型離子，第二源區(qū)和第二漏區(qū)中注入的離子為P型離子。
6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除第一偽柵極的方法，包括: 形成圖形化的掩膜層，定義第一偽柵極的位置； 以所述圖形化的掩膜層為掩模，使用干法刻蝕去除第一偽柵極； 使用濕法腐蝕去除所述干法刻蝕中形成的聚合物； 去除圖形化的掩膜層。
7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除第二偽柵極的方法，包括: 形成圖形化的掩模層，定義第二偽柵極的位置； 以圖形化的掩模層為掩模，使用干法刻蝕去除第二偽柵極； 使用濕法腐蝕去除所述干法刻蝕中形成的聚合物；去除圖形化的掩模層。
8.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，在形成圖形化的掩模層之前，形成氮化鈦層，覆蓋層間介質層、第一柵極、第二偽柵極。
9.如權利要求6或7所述的形成方法，其特征在于，使用干法刻蝕去除第一偽柵極或第二偽柵極，使用的刻蝕氣體包括O2。
10.如權利要求9所述的形成方法，其特征在于，使用的刻蝕氣體還包括NF3、HBr或CF4中的一種或多種。
11.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述第一柵極和第二柵極之間的部分或全部層間介質層形成凹槽時，也去除所述第一柵極、第二柵極與凹槽相鄰的側壁。
12.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述導電物質為鎢。
13.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一偽柵極和第二偽柵極的材料包括多晶硅、氮化硅或無定形碳。
14.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一柵極和第二柵極的材料包括:A1、Cu 、Ag、Au、Pt、N1、T1、TiN、TaN、Ta、TaC, TaSiN、W、WN、WSi 的一種或多種。
【文檔編號】H01L21/8238GK103871857SQ201210553295
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年12月18日 優(yōu)先權日:2012年12月18日
【發(fā)明者】張海洋, 王冬江 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司