技術(shù)編號：7248122
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種集成電路器件和一種用于制造集成電路器件的工藝。該集成電路器件包括具有在其中形成溝槽的襯底，占據(jù)溝槽的第一隔離材料層，形成在第一隔離材料層上的第二隔離材料層，位于襯底上并且水平地與第二隔離材料層相鄰的外延生長硅層，以及形成在外延生長硅層上的柵極結(jié)構(gòu)，其中柵極結(jié)構(gòu)限定溝道。本發(fā)明還公開一種兩步式淺溝槽隔離(STI)工藝。專利說明 兩步式淺溝槽隔離(ST I)工藝[0001]本發(fā)明總的來說涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及一種兩步式淺溝槽隔離(STI)工藝。背景...
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