技術(shù)編號：7247921
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種，其中該制造FinFET的方法，包括形成半導體鰭片；形成源區(qū)和漏區(qū)中的一個；形成犧牲側(cè)墻；以犧牲側(cè)墻作為掩模，形成源區(qū)和漏區(qū)中的另一個；去除犧牲側(cè)墻；以及采用柵堆疊替代犧牲側(cè)墻，該柵堆疊包括柵極導體和柵極電介質(zhì)，柵極電介質(zhì)將柵極導體與半導體鰭片隔開。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導體技術(shù)，更具體地，涉及。背景技術(shù)[0002]隨著平面型半導體器件的尺寸越來越小，短溝道效應愈加明顯。為此，提出了立體型半導體器件如FinFET (鰭片場效應晶體...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。