技術(shù)編號：7247335
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種半導體器件制造方法，包括在襯底上形成沿第一方向延伸的多個鰭片；在鰭片頂部形成蓋層；在鰭片和蓋層上形成沿第二方向延伸的假柵極堆疊結(jié)構(gòu)；在假柵極堆疊結(jié)構(gòu)沿第一方向的兩側(cè)形成柵極側(cè)墻，位于蓋層上；去除假柵極堆疊結(jié)構(gòu)，形成柵極溝槽；在柵極溝槽中形成柵極堆疊結(jié)構(gòu)。依照本發(fā)明的，在鰭片形成之后額外增添了較厚的蓋層以避免在后續(xù)刻蝕過程中受到損傷，有效提高了器件的性能和可靠性。專利說明[0001]本發(fā)明涉及一種，特別是涉及一種能避免硅鰭片刻蝕損傷的三維多柵...
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