技術(shù)編號(hào)：7247033
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層位于包括接觸區(qū)和非接觸區(qū)的半導(dǎo)體襯底上；刻蝕停止層圖案，所述刻蝕停止層圖案被形成以暴露非接觸區(qū)中的第一電介質(zhì)層以及覆蓋接觸區(qū)中的第一電介質(zhì)層；接觸孔，所述接觸孔穿過刻蝕停止層圖案和第一電介質(zhì)層而延伸至接觸區(qū)中的半導(dǎo)體襯底；接觸插塞，所述接觸插塞位于接觸孔中；以及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接至接觸插塞。專利說明[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用[0002]本申請(qǐng)要求于2012年6月13日提交的韓國專利申請(qǐng)第1...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。