技術(shù)編號(hào)：7246970
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括P型襯底中的N型深阱，N型深阱上部的P阱、N+擴(kuò)散區(qū)和場(chǎng)氧化區(qū)，P阱上部的P+擴(kuò)散區(qū)、N+擴(kuò)散區(qū)和場(chǎng)氧化區(qū)，多晶硅柵極生長(zhǎng)在N型深阱和P阱的上方；其中，所述P阱上部的N+擴(kuò)散區(qū)靠近多晶硅柵極的一側(cè)還有一P+有源區(qū)，所述P+有源區(qū)與所述P阱上部N+擴(kuò)散區(qū)之間具有場(chǎng)氧化區(qū)，P阱上部的P+擴(kuò)散區(qū)和N+擴(kuò)散區(qū)相接引出作為接地端，所述P+有源區(qū)通過(guò)電阻和電容與所述N型深阱上部的N+擴(kuò)散區(qū)相接引出作為靜電輸入端，多晶硅柵極引出連接在所...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。