技術(shù)編號：7246348
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種，包括提供表面具有介質(zhì)層的半導體襯底，介質(zhì)層內(nèi)具有貫穿其厚度的第一開口，第一開口內(nèi)具有柵極結(jié)構(gòu)，且柵極結(jié)構(gòu)的表面與介質(zhì)層表面齊平，柵極結(jié)構(gòu)包括位于第一開口底部的柵介質(zhì)層、覆蓋柵介質(zhì)層以及第一開口側(cè)壁的功函數(shù)層、以及位于功函數(shù)層表面且填充滿第一開口的柵極層，功函數(shù)層和柵極層的材料為金屬；刻蝕功函數(shù)層，使功函數(shù)層的頂部表面低于介質(zhì)層表面；在刻蝕功函數(shù)層之后，刻蝕柵極層，使柵極層的表面低于介質(zhì)層表面、且高于功函數(shù)層表面；在刻蝕柵極層之后，在柵極層和功函數(shù)層表...
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