技術(shù)編號(hào)：7246211
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用來在基體上形成一層材料的方法，該方法包括以下步驟將具有熔點(diǎn)或最小軟化溫度的半導(dǎo)體多晶或無定形材料的材料源與基體接觸；在一個(gè)時(shí)間段內(nèi)使所述材料源和基體之間形成一個(gè)溫度差，其中，所述材料源的溫度處于第一溫度范圍，其平均溫度為第一平均溫度，所述基體的溫度處于第二溫度范圍，其平均溫度為第二平均溫度，所述第一平均溫度高于所述第二平均溫度，且低于所述半導(dǎo)體多晶或無定形材料的熔點(diǎn)或最小軟化溫度，使得所述材料源上的一部分半導(dǎo)體多晶或無定形材料轉(zhuǎn)移到所述基體...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。