技術(shù)編號：7246155
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含一基底、一第一硅貫穿電極、一電感結(jié)構(gòu)以及一電容結(jié)構(gòu)。第一硅貫穿電極設(shè)置在基底中，且具有一第一信號。電感結(jié)構(gòu)設(shè)置在基底中。電容結(jié)構(gòu)與電感結(jié)構(gòu)電性相連，并與電感結(jié)構(gòu)形成一LC電路以阻隔第一信號的干擾。本發(fā)明還提供了一種降低半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中信號干擾的方法。專利說明[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，特別來說，是一種可以避免高頻信號對附近電路形成干擾的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)[0002]在現(xiàn)代的信息社會中，由集成電路(integrate...
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