技術(shù)編號：7244530
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件，包括襯底、襯底上的緩沖層、緩沖層上的反型摻雜隔離層、反型摻雜隔離層上的阻擋層、阻擋層上的溝道層、溝道層上的柵極堆疊結(jié)構(gòu)、柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源漏區(qū)，其特征在于緩沖層和/或阻擋層和/或反型摻雜隔離層為SiGe合金或者SiGeSn合金，溝道層為GeSn合金。依照本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，采用SiGe/GeSn/SiGe的量子阱結(jié)構(gòu)，限制載流子的輸運，并且通過晶格失配引入應(yīng)力，大大提高了載流子遷移率，從而提高了器件驅(qū)動能力以適應(yīng)高速高頻應(yīng)用。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。