技術(shù)編號：7244093
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供一種半導體結(jié)構(gòu)，包括半導體襯底和位于半導體襯底上方的至少兩個半導體鰭片，其中所述至少兩個半導體鰭片的方向相互平行；以及所述至少兩個半導體鰭片相互平行的側(cè)面的晶面互不相同。本發(fā)明還提供一種用于制造上述半導體結(jié)構(gòu)的方法。本發(fā)明提供的技術(shù)方案具有如下優(yōu)點通過改變部分襯底的晶向，可以在襯底表面上形成平行的，具有不同側(cè)面晶面的兩種半導體鰭片；所述兩種半導體鰭片側(cè)面晶面分別為{100}和{110},分別被用于形成NMOS和PMOS器件，有利于提高CMOS電路...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。