技術(shù)編號：7244056
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種W金屬層淀積制造方法，包括預(yù)熱晶片；采用ALD工藝，在晶片上沉積W成核層；采用CVD工藝，在W成核層上沉積W金屬層。依照本發(fā)明的，利用ALD工藝沉積薄W層用作成核層，替代了現(xiàn)有的CVD法制備成核層，提高了整體W薄膜的片間均勻性、臺階覆蓋率，進而提高了器件的可靠性，延伸CVD?W工藝至65nm技術(shù)帶。專利說明[0001]本發(fā)明涉及一種，特別是涉及一種用于改進薄膜均勻性和臺階覆蓋率的金屬鎢薄膜制造方法以及由此制造的鎢薄膜。背景技術(shù)[0002]在...
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