技術(shù)編號：7244051
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開一種。提供具有晶胞區(qū)及周邊區(qū)的基底。在晶胞區(qū)及周邊區(qū)的基底上依序形成氧化材料層及第一導(dǎo)體材料層。進行一圖案化步驟，以于晶胞區(qū)的基底上形成第一堆疊結(jié)構(gòu)以及于周邊區(qū)的基底上形成第二堆疊結(jié)構(gòu)。于第一堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成第一間隙壁以及于第二堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成第二間隙壁。在第一堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底中形成至少二第一摻雜區(qū)以及于第二堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底中形成二第二摻雜區(qū)。至少于第一堆疊結(jié)構(gòu)上形成介電層及第二導(dǎo)體層。晶胞區(qū)中的第一堆疊結(jié)構(gòu)、介電層及第二導(dǎo)體層構(gòu)成一...
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