技術(shù)編號(hào):7243859
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件,包括襯底、襯底上的多個(gè)柵極堆疊結(jié)構(gòu)、每個(gè)柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)的多個(gè)柵極側(cè)墻結(jié)構(gòu)、每個(gè)柵極側(cè)墻結(jié)構(gòu)兩側(cè)襯底中的多個(gè)源漏區(qū),多個(gè)柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)和多個(gè)第二柵極堆疊結(jié)構(gòu),其特征在于第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括第一柵極絕緣層、第一阻擋層、第一功函數(shù)調(diào)節(jié)層、和電阻調(diào)節(jié)層,第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括第二柵極絕緣層、第一阻擋層、第二功函數(shù)調(diào)節(jié)層、第一功函數(shù)調(diào)節(jié)層、和電阻調(diào)節(jié)層。依照本發(fā)明的,先選擇性沉積NMOS功函數(shù)調(diào)節(jié)層然后再沉積PMOS...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。