技術(shù)編號(hào)：7243856
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，包括在襯底上形成接觸犧牲層，刻蝕接觸犧牲層形成接觸犧牲圖形，其中接觸犧牲圖形覆蓋源區(qū)與漏區(qū)并且具有暴露襯底的柵極溝槽；在柵極溝槽中形成柵極側(cè)墻和柵極堆疊結(jié)構(gòu)；部分或者完全刻蝕去除覆蓋源區(qū)與漏區(qū)的接觸犧牲圖形，形成源漏接觸溝槽；在源漏接觸溝槽中形成源漏接觸。依照本發(fā)明的，通過雙層接觸犧牲層工藝有效降低了柵極側(cè)墻與接觸區(qū)域之間的間距，并且增大了接觸區(qū)域面積，從而有效減小了器件寄生電阻。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，更具...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。