技術(shù)編號：7242364
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明描述了。例如，半導(dǎo)體器件包括設(shè)置于襯底之上的半導(dǎo)體主體。柵極電極堆疊體設(shè)置于半導(dǎo)體主體的一部分之上，以限定半導(dǎo)體主體中的位于柵極電極堆疊體下方的溝道區(qū)。在柵極電極堆疊體的兩側(cè)上的半導(dǎo)體主體中限定了源極區(qū)和漏極區(qū)。側(cè)壁間隔體設(shè)置于鄰近柵極電極堆疊體處，并且設(shè)置于源極區(qū)和漏極區(qū)的僅一部分上。相較于半導(dǎo)體主體的溝道區(qū)的高度和寬度，源極區(qū)和漏極區(qū)的位于側(cè)壁間隔體下方的部分具有更大的高度和寬度。專利說明 [0001]本發(fā)明的實(shí)施例是在半導(dǎo)體器件和加工的領(lǐng)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。