技術(shù)編號(hào)：7242360
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明描述了適合于高電壓和高頻率操作的晶體管。在襯底上垂直地或水平地設(shè)置納米線。所述納米線的縱向長(zhǎng)度被限定到第一半導(dǎo)體材料的溝道區(qū)中，源極區(qū)與所述溝道區(qū)的第一端電耦合，漏極區(qū)與所述溝道區(qū)的第二端電耦合，并且非本征漏極區(qū)設(shè)置于所述溝道區(qū)與漏極區(qū)之間。所述非本征漏極區(qū)的帶隙比所述第一半導(dǎo)體的帶隙寬。包括柵極導(dǎo)體和柵極絕緣體的柵極堆疊體同軸地完全環(huán)繞所述溝道區(qū)，漏極和源極接觸部類似地也同軸地完全環(huán)繞所述漏極和源極區(qū)。專利說明高電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 [0001]...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。