技術(shù)編號：7239045
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，尤其涉及一種能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體 器件的氧化物電容和多晶硅一絕緣體一多晶硅(PIP)電容的同步使用的半導(dǎo) 體器件電容制備方法，取決于使用或不使用金屬線路端子。背景技術(shù)半導(dǎo)體技術(shù)的各方面已經(jīng)集中于提供，尤其是可 以分為金屬一絕緣體一金屬(MIM)電容或多晶硅一絕緣體一多晶硅(PIP) 電容。與金屬氧化物硅(MOS)電容或結(jié)型電容不同，MIM電容和PIP電容 是偏壓獨(dú)立的，由此需要精確度。特別地，在半導(dǎo)體工藝中可以與金屬線路的形成同時(shí)地制備MIM電容...
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