技術(shù)編號(hào):7239013
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法,更具體涉及一種制造包含 釕電極的半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù)隨著存儲(chǔ)器件由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展而變得更高度集成,存儲(chǔ) 器件的單位單元表面積減少并且驅(qū)動(dòng)電壓降低。在包含硅-絕緣體-硅 (SIS)結(jié)構(gòu)的電容器中,由于界面氧化物層的存在,難以確保大于約25fF 的電容量。因此,已研發(fā)一種包括使用金屬電極的金屬-絕緣體-金屬 (MIM)圓柱結(jié)構(gòu)的電容器。同時(shí),高介電常數(shù)(high-k)材料,如氧化鈦 (Ti02)、氧化鉭0"...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。