技術(shù)編號：7236705
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體只讀存儲器(Read-only-Memory ROM),特別涉及 一種可疊加高密度掩膜只讀存儲器(Mask ROM, MROM)的結(jié)構(gòu)和制造方法。背景技術(shù)掩膜讀存儲器是非揮發(fā)性(No-Volatile)存儲器的常見種類之一，廣 泛用于電子產(chǎn)品。目前業(yè)界常用的一種高密度掩膜只讀存儲器是用MOS (Metal-Oxide-Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管作為存儲單元，通 過制造過程中離子植入調(diào)節(jié)晶體管的閾值電壓(Thres...
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