技術編號：7236393
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。0001本發(fā)明涉及，特別涉及具有柵電極整個被硅化物化的全硅化(Fully SilicidedFUSI)柵極的。背景技術0002在場效應晶體管即MOS晶體管中柵電極的耗盡化使柵絕緣膜的 有效膜厚增加，所以為了提高晶體管的性能，希望具有可抑制柵極 耗盡化的結構。 —0003特別地，在柵絕緣膜上淀積的多晶硅柵極完全硅化物化后的FUSI 柵極，與傳統(tǒng)的工藝流程的相容性良好，被認為是用作抑制柵極耗 盡化的理想方法。0004在FUSI柵極形成時，在柵絕緣膜上形成多晶硅...
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