技術(shù)編號(hào)：7236279
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，且特別涉及一種存儲(chǔ)器單元，以及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random Access Memory,簡(jiǎn)稱為SRAM)的架構(gòu)與布 局設(shè)計(jì)。背景技術(shù)SRAM—般使用于集成電路(簡(jiǎn)稱為IC)中。SRAM單元(Cell)的特 色是儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)不會(huì)被更新(Refresh)。典型的SRAM單元包括2個(gè)傳輸 柵極晶體管(Pass-gate Transistor)，數(shù)據(jù)位可通過(guò)該傳輸柵極晶體管自SRAM 單元中讀取出來(lái)或?qū)懭隨RAM單元中。這...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。