技術(shù)編號：7236005
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地說，本發(fā)明涉及一種具有金屬/絕 緣體/金屬(MIM)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，及其制造方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件的存儲元件，諸如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，在電容器 中存儲預(yù)定數(shù)據(jù)。電容器包含介電薄膜，也就是存儲節(jié)點，插在電極之間，也就是板節(jié)點 (plate node)之間。當(dāng)今，隨著半導(dǎo)體器件日益高度集成化，構(gòu)成存儲元件的存儲單元面積減 小以及半導(dǎo)體器件的工作電壓趨于變低。因此，作為存儲元件之一的電容器的投影面積(projec...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。