技術(shù)編號(hào)：7235738
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，且更具體地涉及一種能夠降低漏電流的晶 體管及其制造方法。背景技術(shù)一般來(lái)說(shuō)，晶體管包含形成于半導(dǎo)體基板上的線路中的柵電極(下文中稱(chēng)為"柵線")，以及通過(guò)在柵電極的兩側(cè)暴露的半導(dǎo)體基板中注入n型或p 型導(dǎo)電雜質(zhì)而形成的源極/漏極區(qū)。隨著半導(dǎo)體器件的高度集成的趨勢(shì)，柵線的寬度已變得愈來(lái)愈小。柵線 寬變得較小時(shí)，當(dāng)電壓從晶體管的源極被施加至漏極時(shí)，由于熱電子感應(yīng)貫 穿(HEIP)效應(yīng)，故可能在柵線的端部產(chǎn)生漏電流，因而降低操作特性。此外，...
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