技術編號：7235580
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是有關于一種半導體結構，且特別是有關于具有至少三種間隙壁 厚度的存儲器裝置。背景技術根據(jù)晶體管的設計及其內在特性，調整晶體管源極與漏極間的柵極下方 信道長度或可借著于柵極周圍的間隙壁來定義信道區(qū)的長度，以改變信道區(qū) 的電阻而影響晶體管的效能。例如，源極/漏極區(qū)可借著使用柵極及間隙壁作 為掩模，經(jīng)由離子植入工藝而定義出來。因此，柵極周圍的間隙壁的寬度會 直接影響源極/漏極區(qū)的尺寸及位置。間隙壁越薄時，柵極下方的源極/漏極 區(qū)會越接近，較短的信道區(qū)長度可...
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