技術(shù)編號：7235429
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，更具體來講，涉及都實現(xiàn)了使導(dǎo)通電阻減小的。背景技術(shù)傳統(tǒng)上，已提出均采用碳化硅(SiC)襯底的半導(dǎo)體器件(例如，參見日本專利特開公布No. 2007-141950(專利文獻1)和美國專利No. 6，803，243(專利文獻2))。例如，在日本專利特開公布No. 2007-141950中，在垂直型半導(dǎo)體器件中，在碳化硅襯底的背面表面上形成非熱處理型的歐姆電極。同時，美國專利No. 6，803，243公開了如下技術(shù)將離子注入碳化硅襯底的表面中，然后執(zhí)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。