技術(shù)編號：7234970
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲裝置，尤其是多位電荷俘獲型存儲裝 置，該半導(dǎo)體存儲裝置包括存儲單元陣列和尋址外圍器件，還涉及 這些存儲裝置的生產(chǎn)方法。背景技術(shù)DE 10110150描述了具有電荷俘獲層的存4諸裝置，所述存4諸裝 置能與尋址外圍器件的晶體管 一起制造。所述生產(chǎn)方法應(yīng)用于虛擬 接地(virtual-ground) NOR陣列。采用傳統(tǒng)的淺溝槽隔離模塊。注 入勢阱，進(jìn)而生成電荷俘獲層。另外，對于不同類型的晶體管可以 形成不同的柵極氧化物。沉積柵極疊層的第一層...
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