技術(shù)編號(hào)：7234901
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，且更特別地，涉及一種離子注 入的方法以及一種可增加半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)產(chǎn)率的制造半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)一種如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件在多存儲(chǔ)單元 中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與從其讀取數(shù)據(jù)。此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件包括多條位線與多條字 線。此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件還包括一用以選擇位線與字線的電路。此半導(dǎo)體存 儲(chǔ)器器件還包括周邊電路，此周邊電路如感測(cè)從存儲(chǔ)單元讀取的數(shù)據(jù)與放大 此數(shù)據(jù)至預(yù)定電平的感測(cè)放大器。該DRAM的存儲(chǔ)單元包...
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