技術(shù)編號(hào):7233562
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種稀土摻雜二氧化硅薄膜制備方法,尤其是一種利 用稀土共摻雜增強(qiáng)溶膠-凝膠法制備的硅基半導(dǎo)體薄膜發(fā)光效率的方 法,屬于光電子器件材料。技術(shù)背景隨著人類社會(huì)的不斷進(jìn)步,能源、信息、材料已成為新世紀(jì)人類 發(fā)展的共同課題,也是未來高科技的三大支柱與新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的源泉。 硅基半導(dǎo)體薄膜是將來制備光電子集成器件和全光通訊最重要的材料,基于硅基半導(dǎo)體薄膜的光電子集成是21世紀(jì)新一代半導(dǎo)體器件 的核心技術(shù),也是現(xiàn)代信息技術(shù)的硬件基礎(chǔ)。而硅基光電子集成中的 硅基光...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。