技術編號：7233418
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，更具體地說，涉及使用電阻相變的電阻切換式隨機存取內存(resistance switching random access memory, ReRAM很術。背景技術一般而言，半導體存儲器件包括連接成電路的多個存儲單元。 一種示例性的半導體存儲器件是動態(tài)隨機存取存儲器(dyn am i c random access memory, DRAM)。典型的DRAM單位存儲單元是由 一個開關和一個電容器所構成，提供例如高集成度和快速操作等優(yōu) 占。然而，...
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