技術(shù)編號：7232487
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。 背景技術(shù)作為半導(dǎo)體存儲裝置，有以往提出的半導(dǎo)體非易失性存儲器(例如參照專利文獻(xiàn)1、 2或3)。參照圖16說明該以往的半導(dǎo)體非易失性存儲器。圖16是用于說明 以往的半導(dǎo)體非易失性存儲器的圖，是半導(dǎo)體非易失性存儲器的概要截 面圖。構(gòu)成半導(dǎo)體非易失性存儲器的基本單元(下面稱為存儲單元。)210 在硅基板220上具有MOS型的晶體管(MOSFET)。 MOSFET具有柵極 234、第1和第2雜質(zhì)擴散區(qū)域224a和224b、第1和第2電阻變化部222a...
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