技術(shù)編號：7231741
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率器件及其制造方法，更具體地說，涉及低壓垂直的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)功率器件。背景技術(shù) 近年來，在便攜式個人電子產(chǎn)品領(lǐng)域，包括移動電話和筆記本電腦等產(chǎn)品呈現(xiàn)出爆炸式的增長。有計劃有步驟地降低電源的電壓，相應(yīng)地縮小器件的尺寸和提高系統(tǒng)的性能，成為研發(fā)更先進(jìn)的功率器件中的首要重點。整個系統(tǒng)電壓的升降，要求功率管理電路中使用的功率MOSFET能夠以較低的柵極驅(qū)動電壓進(jìn)行有效的開啟和關(guān)閉。為了達(dá)到這一需要，功率半導(dǎo)體開關(guān)應(yīng)具...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。