技術(shù)編號(hào):7230594
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體,特別涉及一種晶體管源漏極形成方法 及晶體管源漏極。 背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,源漏極形成工藝通常包括以下步驟輕摻雜漏形成;側(cè)墻(Spacer)形成;源漏的選擇性外延生長(zhǎng);離子注入形成源漏; 金屬硅化物(Silicide)生成。當(dāng)半導(dǎo)體器件的溝道尺寸小于65微米, 源漏在金屬硅化物(Silicide)生成過(guò)程中,金屬容易進(jìn)入側(cè)墻(Spacer) 與硅的界面,形成金屬殘留(Residue),如圖1所示,存在源漏與柵的橋 鏈效應(yīng)(Bridgi...
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