技術(shù)編號:7230371
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種可電寫入、讀取和擦除的非易失性半導(dǎo)體存儲器件以及其制造方法。具體地,本發(fā)明涉及一種非易失性半導(dǎo)體存儲器件中的浮柵結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 對于數(shù)據(jù)能夠被電重寫并且即使斷電后數(shù)據(jù)仍可以保持存儲的非易失性存儲器,市場持續(xù)擴大。非易失性存儲器的特點是其結(jié)構(gòu)類似于MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的結(jié)構(gòu),并且在溝道形成區(qū)上方提供能夠長期積累電荷的區(qū)域。這個形成在絕緣層上方并且與周圍隔離并分開的電荷積累區(qū)還稱為浮柵。由于該浮柵被絕緣體包圍以同周圍電隔離...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。