技術(shù)編號：7230144
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體電容器，更具體地說，本發(fā)明涉及在HOT襯底內(nèi)形成的半導(dǎo)體電容器。背景技術(shù) 制造半導(dǎo)體電容器的一種傳統(tǒng)方法包括在襯底內(nèi)形成兩個溝槽第一溝槽用于電容器本身，第二溝槽用于為電容器提供一個電接頭(electrical contact)。因此，需要一種比現(xiàn)有技術(shù)的方法更簡單的用于在襯底內(nèi)形成電容器及其電接頭的方法。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括(a)半導(dǎo)體襯底；(b)在半導(dǎo)體襯底的頂上的電絕緣區(qū)；(c)在半導(dǎo)體襯底的頂上并與之直接物理接觸的第...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。