技術(shù)編號(hào)：7230068
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及可以用在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電路中的 半導(dǎo)體器件。更為具體地，本發(fā)明涉及一種改進(jìn)的金屬氧化物半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，其包括具有傾斜的側(cè)壁表面的源極和漏 極(S/D)凹陷以及位于這樣的凹陷的傾斜側(cè)壁表面上的產(chǎn)生應(yīng)力的電 介質(zhì)層。本發(fā)明還涉及通過晶格蝕刻(crystallographic etching,結(jié)晶 學(xué)蝕刻，晶體學(xué)蝕刻)形成這樣的S/D凹陷的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件襯底中的機(jī)械應(yīng)力已被廣泛用于調(diào)節(jié)器件的性能。例 如...
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