技術(shù)編號：7225971
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法和半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，更具體地說，涉及制造對閉鎖的敏感性減小的體互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法和由此方法形成的體互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)集成P和N溝道場效應(yīng)晶體管(FET)以在單個半導(dǎo)體襯底上形成集成電路。體CMOS技術(shù)的顯著問題是閉鎖，其由在體CMOS器件中固有存在的寄生雙極晶體管的有害晶體管作用產(chǎn)生。具有不同觸發(fā)機(jī)制的有害寄生晶體管作用，會導(dǎo)致體CMOS器件損壞。...
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