技術(shù)編號(hào):7223428
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。終止結(jié)構(gòu)相關(guān)申請(qǐng)本申請(qǐng)基于2005年9月16日提交的名為"TERMINATION STRUCTURE"的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)60〃 17,842,并要求該臨時(shí)申請(qǐng)的利益,由此 作出優(yōu)先權(quán)的要求,并且該臨時(shí)申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容作為引用被結(jié)合于此。背景技術(shù)參考圖l,根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的功率半導(dǎo)體器件包括具有活動(dòng)區(qū)12和終止區(qū) 14的半導(dǎo)體主體?;顒?dòng)區(qū)12優(yōu)選地包括例如功率金屬氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 (MOSFET)的功率半導(dǎo)體器件的活動(dòng)單元,該功率半導(dǎo)體器件可包括至少 一個(gè)PN結(jié)...
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