技術(shù)編號(hào)：7223093
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及到半導(dǎo)體器件，更確切地說是涉及到絕緣體上硅的制作方法，此絕緣體上硅構(gòu)成柵導(dǎo)體下方具有體接觸的襯底。在絕緣體上硅(“SOI”)技術(shù)中，眾所周知，與寬溝道MOSFET的體接觸有關(guān)的電阻-電容(“RC”)延遲限制了高速下的體電荷平衡的效率。其原因是，與SOI本體有關(guān)的電荷必需橫貫MOSFET的半寬度。路徑的電阻隨主溝道寬度的增大而增大，直至體接觸的RC時(shí)間常數(shù)成為主要因素，這可能引起不穩(wěn)定的器件行為。由于在寬溝道器件中離開本體的空穴必需橫貫長的路徑...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。