技術(shù)編號：7223079
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大致是有關(guān)集成電路的形成，且詳言之，是有關(guān)藉由使用， 例如，硅/鍺而形成不同晶體管類型的源極/漏極區(qū)以增進(jìn)MOS晶體管 的信道區(qū)域中的電荷載體移動性。背景技術(shù)集成電路的制造必需根據(jù)指定的電路配置圖在給定的芯片區(qū)域上 形成大量的電路組件。 一般而言，現(xiàn)在實(shí)施的是復(fù)數(shù)工藝技術(shù)，其中， 就復(fù)雜電路而言，例如微處理器及儲存芯片等，由于就操作速度及/或 電源消耗及/或成本效率的觀點(diǎn)來看的優(yōu)異特性，使得CMOS技術(shù)為現(xiàn) 今最有希望的方法。在使用CMOS技術(shù)制造復(fù)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。