技術編號：7221741
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，該半導體裝置包括在半導體基板上形成為條紋狀(stripe)的多個源極區(qū)域、和在該條紋狀的源極區(qū)域 之間的半導體基板上形成為條紋狀的多個柵電極。10背景技術對開關電源等中所使用的作為單個元件的功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)禾口 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)要求高速動作特性以及低導通電阻特性。高速動作特性由具有...
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