技術(shù)編號：7218438
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。更詳細(xì)地說是涉及一種形成適用于制造超高集成度半導(dǎo)體器件的優(yōu)異的接觸插塞的。背景技術(shù) 在利用電路線寬在0.16μm以下的技術(shù)制造半導(dǎo)體器件時，降低接觸電阻一般是非常重要的。直至最近，在形成半導(dǎo)體器件的接觸時適用的硅接觸插塞中，在接觸孔形成后，接觸孔內(nèi)真空鍍敷多晶硅，并且通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP化學(xué)機(jī)械拋光)工序，使其平坦化。近年來，在形成半導(dǎo)體器件的接觸時，利用選擇性外延硅生長(SEGSelective Epitaxal Growth)技術(shù)的...
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